ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters  

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters


Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill facto

ادامه مطلب  

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters  

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters


Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill facto

ادامه مطلب  

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters  

ترجمه مقاله Simulation Study on the Effects of Changing Band Gap on Solar Cell Parameters


Abstract—We perform the numerical analysis of a CIGS solar cell parameters such as open circuit voltage, short circuit current, maximum power, fill factor, and external quantum efficiency as a function of absorber layer band gap. These parameters are known to be the key parameters of a solar cell to determine its performance. We change the band gap of the CIGS absorber layer by changing its alloy composition. ATLAS SILVACO is used to construct and simulate the CIGS solar cell structure with standard AM1.5 spectra. The open circuit voltage and the maximum power increase almost linearly with the band gap. However, the change in short circuit current and the fill facto

ادامه مطلب  

دانلود تحقیق در موردآشنایی با شبکه های بی سیم وایمکس  

دانلود تحقیق در موردآشنایی با شبکه های بی سیم وایمکس


نام فایل : آشنایی با شبکه های بی سیم وایمکسفرمت : .pptتعداد صفحه/اسلاید : 19حجم : 4 مگابایت*درس شیوه و ارائه مطالب انواع دسترسی به اینترنت:دسترسی از طریق خط تلفن (Dial up)دسترسی باند پهن Broad Band))دسترسی بی سیم (Wireless) معا یب این روش ها: هزینه بالای دسترسی عدم امکان حرکت در روش های 1 و 2 برد کوتاه امواج *WiMAX چیست؟*Worldwide Interoperability for Microwave Access راه حلی برای دسترسی به اینترنت از طریق امواج مایکروویو W

ادامه مطلب  

پاورپوینت با موضوع معرفی سیستم تکرارکننده تلفن همراه GSM Repeater  

پاورپوینت با موضوع معرفی سیستم تکرارکننده تلفن همراه GSM Repeater


    لینک دانلود و خرید پایین توضیحاتدسته بندی : پاورپوینتنوع فایل : .ppt ( قابل ویرایش و آماده پرینت )تعداد اسلاید : 30 اسلایدقسمتی از متن .ppt :معرفی سیستم تکرارکننده تلفن همراهGSM Repeaterمعرفی و تاریخچه شرکت واف شرکت واف در سال 1363 به شماره 52681 در تهران ثبت گردید. موضوع اصلی فعالیت شرکت : طراحی، ساخت و فروش دستگاه های انتقال داده، مبدل های مخابراتی و دستگاه

ادامه مطلب  

پاورپوینت آماده; بررسی افزايش ظرفيت در فيبر نوري تك مدي  

پاورپوینت آماده; بررسی افزایش ظرفیت در فیبر نوری تك مدی


مطالب اسلایدهای ابتدایی این پاورپوینت به شرح زیر است تعداد اسلاید : 35 اسلایدبررسی افزایش ظرفیت در فیبر نوری تك مدی 2 منحنی تلفات بر حسب طول موج برای فیبر نوری 3 ظرفیت فیبر نوری 1- فرض کنید که طیف قابل استفاده یک فیبر از 1260 تا 1675 نانومتر است.2- فرض کنید یک سیستم DWDM با فاصله کانالهای 1 نانومتر داریم پس تعداد کانالهاحدود 415 است.3- فرض کنید نرخ ارسال داده های هر کانال 10Gb/s می باشد.بن

ادامه مطلب  
صفحات ادامه نتايج:  1